新闻动态

高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V

2025-01-16

高电流密度IGBT模块LE2  200A/650V


JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。

此款IGBT模块推荐用于有源电力滤波器(Active Power Filter,简称APF)及其他三电平应用。APF可广泛应用于工业、商业和机关团体的配电网中,如:电力系统、电解电镀企业、水处理设备、石化企业、大型商场及办公大楼、精密电子企业、机场港口的供电系统、医疗机构等。



产品系列:

● JL3I200V65RE2PN

● JL3I150V65RE2PN

● JL3I100V65RE2PN


产品特点


  • 优异的导通和开关损耗

  • 同类最佳封装,优化外壳结构,更长的爬电距离

  • 采用ZTA基板,更低的结壳热阻,更强的可靠性

  • 模块杂散电感极低

  • 优化接线端子,在大电流下更低的端子温升

  • 可选PressFIT针脚和焊接针

应用价值


  • 出色的模块效率

  • 提高功率密度

  • 系统成本更具优势

  • 提高系统效率

  • 紧凑型设计

竞争优势


相同封装及拓扑下,最大电流能力能达到200A,全系列二极管电流满配,更适合储能应用。

●  新芯片技术可降低导通和开关损耗,从而提高效率。

应用领域


●  SVG

●  APF

●  其他三电平应用


如需进一步了解更多产品,可关注金兰半导体官网http://www.jinlanpower.com/以获得更新的产品信息,金兰功率半导体亦可为您提供更贴合贵公司的产品和定制化服务,欢迎垂询。

About us


金兰功率半导体(无锡)有限公司成立于2021年,系无锡新洁能股份有限公司(股票代码:605111)子公司,致力于功率半导体模块的研发与制造,应用市场覆盖汽车、光伏及工业等领域。

公司秉承“质量第一,客户至上”的经营理念,以科技创新为动力,为客户提供优质的技术服务和高性价比的产品,与广大客户和行业同仁一起合作共赢共享发展。

联系地址:无锡市新吴区电腾路6号

邮      编:214029

电      话:0510-85629131-8882

邮      箱:sales@jinlanpower.com

官      网:http://www.jinlanpower.com